姓名：孙鹏
职称：讲师
所在院系（所）：银河娱乐澳门娱乐网站 先进输电研究所
研究方向（Focus Area）：
Ø先进输电技术
Ø电力电子器件电热状态与均衡调控、电力电子器件特性与可靠性测试
联系方式
办公地址：银河娱乐澳门娱乐网站主楼A座427
电子邮箱：sunpeng@ncepu.edu.cn
一、个人简介及主要荣誉称号
孙鹏 博士，1994年10月生，银河娱乐澳门娱乐网站新讲师博士后。2016年、2022年于银河娱乐澳门娱乐网站电气工程专业分别获得工学学士、博士学位。主要从事高压大功率电力电子器件封装、测试与可靠性相关研究工作，作为核心骨干参与研制了国内首个6.5kV/400A碳化硅MOSFET器件与18kV/125A碳化硅IGBT器件研制。主持国家重点实验室开放课题1项、国网总部科技项目课题1项，参与国家重点研发计划课题2项。发表学术论文30余篇，获评北京市优秀毕业生、银河娱乐澳门娱乐网站优秀毕业生及优秀博士论文、国家奖学金等奖项。
二、主要科研项目
[1] 国家重点研发计划课题，高压大功率 SiC IGBT 器件封装多芯片并联均流、电气绝缘、电磁兼容和驱动保护方法，2018-2021，课题骨干
[2] 国家重点研发计划课题，高压大容量碳化硅功率器件和模块封装关键技术研究，2016-2022，课题骨干
[3] 国网总部科技项目，面向直流控保设备关键模拟芯片可靠性提升技术研究 ，2022-2025，课题负责人
[4] 河北工业大学国家重点实验室开放课题重点项目，碳化硅模块电热均衡与状态监测方法研究，项目负责人，2023-2026
[5] 中央高校基金，高温碳化硅器件电流测量方法的研究，项目负责人，2023-2025
五、代表性论文（近5年）：
[1] Peng Sun, Yahui Guo, Tao Wu, Zhibin Zhao, Peng Lai, Zhong Chen, Lei Qi and Xiang Cui. An online junction temperature monitoring correction method for SiC MOSFETs at different parasitic parameters [J]. IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, 2022,10(2): 5007-5018.
[2] Peng Sun, Xiang Cui, Si Huang, Pengyu Lai, Zhibin Zhao and Zhong Chen. LTCC Based Current Sensor for Silicon Carbide Power Module Integration. IEEE Transactions on Power Electronics, 2022,37(2): 1605-1614.
[3] Peng Sun, Zhibin Zhao, Yumeng Cai, Junji Ke, Xiang Cui, Bing Ji. Analytical model for predicting the junction temperature of chips considering the internal electrothermal coupling inside SiC metal–oxide–semiconductor field-effect transistor modules. IET Power Electronics, 2020,13: 436-444.
[4] Junji Ke, Zhibin Zhao, Peng Sun, Huazhen Huang, James Abuogo, and Xiang Cui. Chips classification for suppressing transient current imbalance of parallel-connected silicon carbide MOSFETs. IEEE Transactions on Power Electronics, 35, no. 4 (2019): 3963-3972.
[5] Bin Zhao, Peng Sun, Qiuping Yu, Yumeng Cai, and Zhibin Zhao. Layout-dominated dynamic imbalanced current analysis and its suppression strategy of parallel SiC MOSFETs. IEEE Transactions on device and materials reliability, 21, no. 3 (2021): 394-404.
[6] 孙鹏,赵志斌,蔡雨萌,余秋萍，柯俊吉，崔翔，杨霏，李金元.基于开关能量均衡的并联碳化硅MOSFET芯片筛选[J].中国电机工程学报,2019,39(19):5613-5623+5889.
[7] 吴涛,孙鹏,赵志斌,等.基于温敏电参数的碳化硅MOSFET结温测量方法综述[J].中国电机工程学报, 2021, 41(11):11.
六、授权发明专利（近5年）
[1] Peng Sun, Zhong Chen. High temperature LTCC-based current sensor. US Patent # 11,740,264
[2] 孙鹏,张浩然,彭娇阳,赵志斌,崔翔.基于低温共烧陶瓷技术的高温电流传感器及其应用和方法,2021106236982
[3] 孙鹏,柯俊吉,邹琦,黄华震,赵志斌,崔翔.一种开关器件筛选系统及方法,201711260643X
