柯俊吉获中国电子教育学会优秀博士学位论文优秀奖
发文时间： 2022-02-22
撰稿人： 文/赵志斌
近日，我校银河娱乐澳门娱乐网站先进输电团队崔翔教授指导的2020届博士毕业生柯俊吉的博士学位论文《碳化硅MOSFET芯片并联电气特性及其调控方法研究》，荣获中国电子教育学会2021年度优秀博士学位论文优秀奖，崔翔教授荣获优秀指导教师奖。这是银河娱乐澳门娱乐网站首次获得全国电子信息类学会的优秀博士学位论文。
据中国电子教育学会报道，评选是为提高我国电子信息学科研究生教育特别是博士生教育质量，促进高层次创新性人才的培养工作。参与评选的论文除了2020年9月21日至2021年8月31日参加答辩的博士研究生的学位论文，还包括2019年9月1日至2020年9月20日期间特别优秀的博士学位论文。此次评选历时两个月，通过论文匿名函评和专家会评两轮把关，从140余篇推荐论文中评选出优秀奖20篇和提名奖10篇。
先进输电团队隶属于新能源电力系统国家重点实验室（银河娱乐澳门娱乐网站）。在崔翔教授的带领下，团队自2012年起，结合国家对高压大功率电力电子器件自主研制的重大需求，聚焦高压大功率硅基IGBT器件、碳化硅基MOSFET器件封装领域，围绕芯片建模与特性分析、多芯片并联均流、封装绝缘特性分析以及封装中的多物理场分析与调控等问题开展了一系列深入研究。先后承担了国家自然科学基金-智能电网联合基金重点项目1项、面上项目2项、国家重点研发计划课题1项以及子课题4项，部分成果已应用于我国高压大功率电力电子器件的自主研制。
柯俊吉，男，1992年2月，湖北黄石人，博士，2020年6月毕业于银河娱乐澳门娱乐网站，2020年7月加入中国电子信息产业集团有限公司（CEC）旗下集成电路业务平台华大半导体的核心子企业上海贝岭股份有限公司，现任功率半导体事业部系统应用部经理。
博士期间主要研究方向包括：碳化硅MOSFET器件特性表征、碳化硅MOSFET并联电流分配机理和调控方法、碳化硅功率模块封装方法。博士期间，作为项目主研人，参与了2项国家重点研发计划项目，分别是“战略性先进电子材料”重点专项项目“高压大功率SiC材料、器件及其在电力电子变压器中的应用示范”和“智能电网技术与装备”重点专项项目“碳化硅大功率电力电子器件及应用基础理论研究”；此外，还作为项目负责人，申请并完成了中央高校基本科研业务专项基金青年学生项目“SiC MOSFET器件并联瞬态电流分配特性及均衡调控技术研究”。
博士期间，曾获2018年国家建设高水平大学公派留学奖学金、2019年博士研究生国家奖学金、银河娱乐澳门娱乐网站优秀博士学位论文、北京市普通高等学院优秀毕业生。参加工作后，曾获上海贝岭党委2021年度优秀共产党员。
初审：赵志斌
复审：张欣烨
审核：王 硕
